半导体
目前半导体工业已进入了超大规模集成半导体电路时代，半导体器件的尺寸不断缩小，芯片中元件密度的不断增加，元件间距离变得越来越小，甚至小到纳米级。然而，在整个生产过程中引入元件间的痕量杂质元素会降低芯片的合格率，特定的污染问题可导致不同的半导体器件缺陷。如碱金属与碱土金属（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）污染可导致元件击穿电压的降低；过渡金属与重金属（Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等）污染可使元件的寿命缩短，或者使元件工作时的暗电流增大；渗透元素（B、Al、P、As、S、Si等）本身用于形成元件，如果是污染，则改变了元件的工作点，使器件产生工作错误等。据统计，半导体元件制造业中50％的产率损失是由微量杂质污染导致。
半导体行业需要进行污染水平控制的化学品类型众多，各种化学品的基质差异很大，像气体化学品包括SiH4、SiCl3、NH3、三甲基镓、三甲基铟、NF3、N2等；固体化学品如多晶硅、单晶硅、石英、SiC、高纯金属电极等；液体化学品如超纯水、氨水、双氧水、氢氟酸、硝酸、Si及GaAs等，单晶切片的表面污染清洗液（VPD）、盐酸、硫酸、磷酸等。液体化学品还包括有机试剂如黏稠的光刻胶和液晶材料，强挥发性的丙酮、甲醇、甲苯、二甲苯、IPA等清洗溶剂，强碱性的氢氧化四甲基铵（TMAH）等剥蚀试剂等。
以上半导体产业中的产品都需要对产品进行检测，在线解决方案是最优选、最有效、最高效的解决方案。
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目前半导体工业已进入了超大规模集成半导体电路时代，半导体器件的尺寸不断缩小，芯片中元件密度的不断增加，元件间距离变得越来越小，甚至小到纳米级。然而，在整个生产过程中引入元件间的痕量杂质元素会降低芯片的合格率，特定的污染问题可导致不同的半导体器件缺陷。如碱金属与碱土金属（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）污染可导致元件击穿电压的降低；过渡金属与重金属（Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等）污染可使元件的寿命缩短，或者使元件工作时的暗电流增大；渗透元素（B、Al、P、As、S、Si等）本身用于形成元件，如果是污染，则改变了元件的工作点，使器件产生工作错误等。据统计，半导体元件制造业中50％的产率损失是由微量杂质污染导致。
半导体行业需要进行污染水平控制的化学品类型众多，各种化学品的基质差异很大，像气体化学品包括SiH4、SiCl3、NH3、三甲基镓、三甲基铟、NF3、N2等；固体化学品如多晶硅、单晶硅、石英、SiC、高纯金属电极等；液体化学品如超纯水、氨水、双氧水、氢氟酸、硝酸、Si及GaAs等，单晶切片的表面污染清洗液（VPD）、盐酸、硫酸、磷酸等。液体化学品还包括有机试剂如黏稠的光刻胶和液晶材料，强挥发性的丙酮、甲醇、甲苯、二甲苯、IPA等清洗溶剂，强碱性的氢氧化四甲基铵（TMAH）等剥蚀试剂等。
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